看到罗教授不理解，李枭也就道：“教授，集成电路这一概念，1952年的时候杰弗里就提了出来，
他在文章中表示，要利用光刻、蚀刻、掺杂等工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集中起来，集中到一块硅基芯片上，组成逻辑电路，让它具备简单逻辑功能，就能缩小电路体积，在同样体积之下，也能够加入更多的电子元件。
虽然杰弗里后来这一项实验失败了，但我认为，这一项技术是具备可行性的，就拿现在的计算机来讲，咱们之前就研究的“59型计算机”，300万次的运算速度，基本上就已经达到了极限，想要再往上很难。
之后的计算机发展，想要再一次突破，应该就是新一代计算机，我称它为集成电路计算机，
晶体管计算机罗教授你也知道，它的信号传输，是通过导线连接，信号需穿越数厘米甚至更长的物理距离，才能够那多个元件串联起来，并且还易受电磁干扰。
但集成电路不同，他是把所有元件、晶体管，全部都集中在电子版上，这样一来元件间距离就会缩至微米级，信号传输路径缩短数十乃至数百倍，这样一来不仅能够减少电磁干扰，还能够加快信号传递的速度。
不仅如此短距离信号传输，也能够减少能耗，还能进行高密度集成，能容得下更多电子元件，到时候没准上百上千的元件，一块小小的电路板就能够放得下。”，说着李枭还用手在胸前比划了一下大小。
李枭说的这些并不难理解，这就跟电子管计算机过渡到晶体管计算机一样，也是因为类似的原因，这才让计算机的速度越来越快。
而听到李枭全部讲完，罗教授脸上也带上了若有所思的表情，感觉李枭所说的方法确实可行。
有问了几个问题，就打开了李枭递给他的研究计划书。
李枭计划书上写的很详细，想要研究集成电路，这首先就是基础半导体材料的研究。
想是硅如何提纯，一般的工业硅它的纯度在95%~99%纯度，但这无法作为集成电路上面的材料，至少要提纯到99.%以上，而这里所用到的方法就是西门子法，也就是三氯氢硅还原，还有就是硅烷热分解法。
也只有解决了杂质的问题，才能够让单晶硅，满足器件电学性能需求。
其次就是单晶硅的生长技术，这里则可以利用直拉法，来制造制备大尺寸单晶硅锭，以此突破晶体定向生长与直径控制。
之后就是晶体管核心工艺的研究了，也就是通过氧化、光刻、扩散等，从而来实现器件小型化与稳定性。
从锗台面晶体管，转向硅平面型晶体管，这样一来就能够让表面钝化减少漏电。
而这个国内突破有些难，不过前世早就有人想出了办法，那就是用显微镜+紫外灯搭建“土光刻机”，来制造出硅平面型晶体管。
这个方法在前世1963年的时候，被国内王教授团队突破，一举打破了技术封锁。
李枭也是把几种方法作为建议，写到了研究报告上。
除此之外，想要研究出集成电路这还不够，还需要介质隔离技术和金属化与引线键合技术。
介质隔离技术就是在电路元件外围，形成反向偏置的P-N结，它的作用就是阻断电流横向扩散，这样就能解决集成电路中，相邻的元件短路难题。
而这一项技术到了后世，也是经过了数代的演化。
最开始是P-N结隔离技术，等到60年代后期又变成了氧化硅介质隔离技术，再往后就是浅沟槽隔离。
这个就要等到80年代去了。
等到00年以后，三维隔离法也会出现，李枭拿出的就是P-N结隔离技术，和二氧化硅介质隔离技术，两种研究的方向。
不过也只是研究的方向，其中只涉及了一些理论，但具体该如何施行，这个就要靠团队一起研究了。
金属化与引线键合技术，最初版本还是比较简单的，就是热压键合。
所谓的热压键合就是通过加热加压将金丝连接至芯片焊盘，这个很简单，以国内现在的技术也制造的出来。
而60年代以后的技术就是键合技术，键合技术又分为两种，一种是球键合，另一种是楔形键合，这两种技术也是60年代工艺化标准技术。
这一用就是30年，等到90年代这才又一次取得了突破。
只有先把这些搞懂，才能制造出简单的集成电路，当然复杂的集成电路就要上设备了，就比如制扩散炉、光刻机、镀膜设备。
这些就不着急了，像是光刻机，1960年首台才被制造出来，镀膜设备也要等到60年代，至于制扩散炉虽然现在已及出现，但存在掺杂不均匀问题，想要解决至少要等到80年代以后去了。
现在的常压闭管扩散炉也算是够用，制造出来的集成电路，足够组装第三代计算机。
至于其它的一些设备，这个李枭也需要好好研究研究，他打算等到计算机研究所，先研究完基础材料，然后在研究这些设备，到时候也不迟。
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